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Depoimento

Prof. Álvaro Neves

Tomo a história a partir do momento em que passei a fazer parte dela e concentro-me na criação do Grupo de Microeletrônica e Física de Semicondutores. O período “pré-histórico”, certamente inspirador e pleno em emoções, encontrará cronistas mais capazes. Neste relato, que pretendo breve, há pontos que acredito merecerem acréscimos e mesmo correções dos colegas, em particular na menção de pessoas que foram importantes para os eventos tratados – sintam-se livres para contribuir. Mãos à obra.

Em 1996, eu estava no Departamento de Física da UFMG, no meu segundo como postdoc. Entre os alunos de doutorado, conheci ali alguns tipos animados e, no melhor sentido, sonhadores. Eles tinham em comum o fato de serem professores de Física na UFV. Eles arquitetavam com os seus colegas em Viçosa a transformação do seu pequeno departamento em um polo importante de pesquisa e de formação. Destaco os pós-graduandos-professores Alexandre Carvalho e Ademir Alves. A partir, deles conheci outros “inconfidentes mineiros”, como os professores Afrânio Pereira, Marcelo Lobato, Daniel Stariolo, José Arnaldo Redinz … (convido os colegas a “denunciarem” os que eu tenha esquecido). A foto que se segue contém alguns deles. Em algum momento, fui sondado pelo grupo sobre o meu interesse em futuramente prestar um concurso em Viçosa. A pergunta era vaga, pois vivíamos a parte das vacas magras do ciclo de vagas nas instituições federais de ensino. No entanto, identifiquei-me de imediato com a turma – como eles, sonhava em participar da fundação de um “novo mundo”, longe do dirigismo de grandes caciques, com ideias ventiladas, colaboração no DNA, reconhecimento do trabalho alheio, etc. Naquele ano surgiu-me a oportunidade de embarcar no navio deles. Segue a versão minimalista do meu lado da “estória”.

Grupo da UFV em um congresso, no XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
(ENFMC) realizado em São Lourenço-MG, entre 11 a 15 de maio de 1999. Da esquerda para a direita; primeiro, Álvaro Neves; terceiro, Helder Moreira; quarto, José Arnaldo Redinz; quinto, César Boff Buffon (aluno); sexto, Douglas Miquita (aluno); sétimo, Afrânio Pereira.

Calhou-me precisar visitar a SID Microeletrônica, para conseguir a doação de um fotorresiste negativo para o meu trabalho. A empresa baseada, na cidade industrial de Contagem, era o único fabricante de circuitos integrados na América Latina. Em visita anos antes, eu conhecera a fábrica em toda a sua glória – com milhares de pessoas trabalhando em três turnos para fabricar chips de memória e outros circuitos integrados que supriam, a totalidade da demanda da indústria nacional de computadores, automotiva e de eletrodomésticos. Entretanto, nessa segunda visita parecia que eu havia errado o planeta – o lugar parecia uma cidade fantasma. Andando pelos corredores escuros e pelas linhas de produção desertas, soube que a empresa já não fabricava nada, apenas encapsulava, testava e vendia chips importados da Samsung. O gerente contou que mesmo essa produção seria encerrada em breve e sondou-me se a UFMG teria interesse no equipamento. Sai dali pensativo e aos poucos tomei consciência de que havia ali uma grande oportunidade. De volta, ao estacionar na UFMG, já havia decidido que iria para Viçosa levando comigo um tesouro em equipamentos para microfabricação, a parte mais cara do laboratório que vislumbrava construir. Havia algumas pequenas dificuldades como, por exemplo, não ter um centavo em projeto de pesquisa, nem emprego na UFV, nem o conhecimento para adaptar equipamentos industriais para uso em uma escala de laboratório.

Esquerda: o aluno Pablo Valentim e Álvaro Neves na entrada do laboratório no antigo prédio da Química. Direita: Álvaro Neves e o então estudante César Buffon na SID Microeletrônica em 1998.

Saltando adiante no tempo, um ano e meio mais tarde, em junho de 1997, assumi uma vaga de professor no DPF, deixando para trás uma vaga obtida em concurso na UnB. Meses antes, submeti na FAPEMIG um projeto que visava criar um grupo de pesquisa e adquirir a preço de barganha o equipamento da SID, instrumentos de medida elétrica e insumos. A falta de recursos e o modus operandi da Fundação na época tornaram a tramitação extremamente lenta. Dentro da normalidade daquele tempo, os projetos eram aprovados, mesmo sem dispor a Fundação de orçamento suficiente para financiá-los. O acúmulo dessas “aprovações virtuais” ao longo de anos com recursos minguantes gerava uma fila enorme de projetos que eram atendidos a conta-gotas, em ordem bastante arbitrária.

Contudo, o grupo não esperou parado – em 1998, conseguimos que a SID nos doasse boa parte do equipamento que pretendíamos adquirir. A fotografia da esquerda na figura 2 retrata a “operação desmonte” realizada na SID com o meu único estudante na época – Carlos César Boff Bufon. O equipamento chegou a Viçosa em dois caminhões alguns dias mais tarde, na véspera do Natal. Na parte da direita da figura, “posamos” na frente do antigo prédio da Química, onde instalamos o laboratório, em área emprestada. Seguiu-se um trabalho intenso para adaptar e instalar o equipamento e para construir outros instrumentos necessários. O financiamento externo ficou no nível normal da época, no nosso Departamento – R$ 0,00. O grupo passou a ser composto por dois ou três estudantes de IC, pelo Helder Moreira e por mim. Para guiar os esforços de construção do laboratório, estabelecemos como meta fabricar, completamente in house, o dispositivo mais importante da microeletrônica – um transistor de efeito de campo (FET). Essa “saga”, completada em cerca de um ano, é compactamente contada na figura 3. Na linha superior dela, à esquerda, vê-se impresso em papel alguns dos padrões super ampliados para a fabricação das máscaras litográficas para a produção do FET. À direita, está um padrão em fotorresiste, onde destaca-se a inscrição “UFV”, vista pelo buraco de uma agulha. Na linha do meio da figura, a fotografia da direita mostra um protótipo do FET e na esquerda dois dispositivos completos. Por fim, na linha inferior, vemos a caracterização de duas gerações dos transistores – na última, a da esquerda, percebe-se um grande aumento na transcondutância, no controle da corrente fonte-dreno com a tensão aplicada na porta.

Da esquerda para a direita e de cima para baixo: impressão em papel dos padrões para fabricação das máscaras litográficas, padrões em fotorresiste com a inscrição “UFV” vista através do buraco de uma agulha, protótipo do transistor, dois FETs prontos e a caracterização da 1ª versão (MESFET) e da 2ª (HEMT).

Quando finalmente vimos a cor do dinheiro do projeto em 2003, ele havia sido realocado para a linha normal de financiamento, pois o “Programa de Fixação de Grupos de Pesquisa” estava extinto. Contudo, tratou-se do maior projeto individual aprovado na UFV naquele ano. Com ele, foi possível adquirir instrumentos para medidas elétricas, como multímetro de primeira linha, fontes de corrente e de tensão, um spinner para fotorrsiste, microscópios, bombas de vácuo (incluindo uma turbomolecular), um sputtering e muito mais. Segue na figura 4 fotografias de dispositivos fabricados posteriormente e a página inicial do primeiro artigo publicado pelo grupo.

A fotografia da direita, traz um porta-amostra com dois dispositivos fabricados sobre um substrato de GaAs. A da esquerda revela detalhes dos dispositivos. Abaixo, vê-se o resumo de um trabalho publicado pelo grupo

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