Informativo

Seminário da Pós – dia 12/07/24

“Fabricação e Caracterização de Nanoestruturas Semicondutoras”

Wesley Fiorio Inoch – Departamento de Física UFV.

DATA: 12/07/2024.
HORÁRIO: 10h.
LOCAL: Auditório do CCE.

RESUMO:
Filmes finos como nanomembranas semicondutoras são estruturas com espessuras de dezenas de nanômetros e que apresentam a possibilidade de controle de suas propriedades eletrônicas e ópticas devido à sua dimensão reduzida. Devido à sua alta relação superfície-volume, essas nanomembranas exibem efeitos quânticos e de confinamento que influenciam diretamente suas características de transporte eletrônico e resposta óptica. O telureto de cádmio (CdTe) pode ser crescido com alta qualidade sobre Si e GaAs, apesar das diferenças de parâmetro de rede. Trata-se de um semicondutor da família II-IV, cujas aplicações podem ser encontradas na fabricação de detectores de raios gama, optoeletrônica e produção dispositivos fotovoltaicos. O trabalho desenvolvido busca consolidar a fabricação de estruturas semicondutoras crescidas via a técnica de epitaxia por feixe molecular. Inicialmente, buscou-se entender o crescimento de filmes finos de CdTe sobre o GaAs sem qualquer camada buffer a fim de integrar esses filmes com membranas semicondutoras do grupo II-V. A caracterização estrutural e óptica mediante a espectroscopia Raman e difração de raios -X foram conduzidas para verificar as propriedades dessa heteroestrutura. Ademais, heteroestruturas finas de CdMnTe/CdTe foram crescidas diretamente sobre Si(111) para verificar suas propriedades ópticas. As estruturas quânticas emissoras de luz apresentaram boas propriedades óticas, apesar da alta incompatibilidade do parâmetro de rede, sendo uma potencial heteroestrutura a ser integrada na tecnologia de membranas de silício (silicon on insulator – SOI). A produção de nanomembranas está sendo implementada pela primeira vez no Departamento de Física da UFV. Essas membranas são flexíveis e podem ser transferidas para outros substratos diversos.